你的位置：首頁 > 產(chǎn)品展示 > 光學(xué)儀器 > 光電探測(cè) >Newport818-BB 偏置光接收器
產(chǎn)品詳細(xì)頁
Newport818-BB 偏置光接收器
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 更新時(shí)間：2023-12-20
- 產(chǎn)品介紹：Newport818-BB 偏置光接收器是頗具成本效益的診斷工具，適合多種高速應(yīng)用，例如查看調(diào) Q、鎖模或快速調(diào)制激光器的信號(hào)以及皮秒激光器對(duì)準(zhǔn)。
- 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
- 在線留言
產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Newport/美國(guó) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
Newport818-BB 偏置光接收器
818-BB 系列偏置光電探測(cè)器是頗具成本效益的診斷工具，適合多種高速應(yīng)用，例如查看調(diào) Q、鎖模或快速調(diào)制激光器的信號(hào)以及皮秒激光器對(duì)準(zhǔn)。
硅、紫外硅、GaAs 和 InGaAs 版本
上升時(shí)間可達(dá) 35 ps
放大探測(cè)器可提供高達(dá) 26 dB 的增益
光纖耦合選件使對(duì)準(zhǔn)更加容易
Newport818-BB 偏置光接收器
| 對(duì)比 | 型號(hào) |
 | 818-BB-21偏壓光電探測(cè)器，300-1100 nm，硅，1.2 GHz |
 | 818-BB-27偏壓光電探測(cè)器，200-1100nm，硅，200 MHz |
 | 818-BB-30偏壓光電探測(cè)器，1000-1600nm，InGaAs，2 GHz |
 | 818-BB-31偏壓光電探測(cè)器，1000-1600nm，InGaAs，1.5 GHz，F(xiàn)C 輸入插孔 |
 | 818-BB-35偏壓光電探測(cè)器，1000-1650nm，InGaAs，12.5 GHz |
 | 818-BB-36偏壓光電探測(cè)器，1475–2100 nm，擴(kuò)展型 InGaAs，12.5 GHz |
 | 818-BB-36F偏壓光電探測(cè)器，1475-2100 nm，擴(kuò)展型 InGaAs，12.5 GHz，F(xiàn)C/UPC |
 | 818-BB-40偏壓光電探測(cè)器，300-1100nm，硅，25 MHz |
 | 818-BB-45偏壓光電探測(cè)器，400-900nm，GaAs，12.5 GHz |
 | 818-BB-4F放大偏壓光電探測(cè)器，交流耦合，400-900nm，GaAs，9 GHz，F(xiàn)C/UPC |
產(chǎn)品規(guī)格
Silicon Photodetectors
| 型號(hào) |  818-BB-21 |  818-BB-27 |  818-BB-40 |
| 探測(cè)器材料 | Silicon | UV Enhanced Silicon | Silicon |
| 偏置電壓/偏壓 | 9 V | 24 V | 24 V |
| 探測(cè)器類型 | PIN | PIN | PIN |
| 探測(cè)器直徑 | 0.4 mm | 2.55 mm | 4.57 mm |
| 接收角 | 10° | 50° | 60° |
| 波長(zhǎng)范圍 | 300-1100 nm | 200-1100 nm | 350-1100 nm |
| 3 dB 帶寬 | |||
| 上升時(shí)間 | <300 ps | 3ns | <30 ns |
| 響應(yīng)度 | 0.47 A/W @ 830 nm | 0.56 A/W @ 830 nm | 0.6 A/W @ 830 nm |
| 輸出接頭 | BNC | BNC | BNC |
| NEP | <0.01 pW/√Hz | <0.1 pW/√Hz | <0.09 pW/√Hz |
| 飽和電流 | 3 mA | 2.5 mA | 2 mA |
| 結(jié)電容 | <1.5 pF | <25 pF | <45 pF |
| 反向擊穿電壓 | 20 V | 150 V | 50 V |
| 螺紋類型 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 |
GaAs and InGaAs Photodetectors
| 型號(hào) |  818-BB-30 |  818-BB-31 |  818-BB-35 |  818-BB-45 |  818-BB-51 |
| 探測(cè)器材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | GaAs | Extended InGaAs |
| 偏置電壓/偏壓 | 6 V | 6 V | 6 V | 3 V | 3 V |
| 探測(cè)器類型 | PIN | PIN | PIN | PIN | PIN |
| 探測(cè)器直徑 | 0.1 mm | 0.1 mm | 0.032 mm | 0.040 mm | |
| 接收角 | 20° | 20° | 30° | 15° | 20° |
| 波長(zhǎng)范圍 | 1000-1600 nm | 1000-1600 nm | 1000-1650 nm | 500-890 nm | 830-2150 nm |
| 3 dB 帶寬 | DC to 2 GHz | DC to 2 GHz | DC to 15 GHz | DC to 12.5 GHz | DC to 10 GHz |
| 上升時(shí)間 | 175 ps | 175 ps | 25 ps | 30 ps | 28 ps |
| 響應(yīng)度 | 0.8 A/W @ 1300 nm | 0.9 A/W @ 1300 nm | 0.88 A/W @ 1550 nm | 0.53 A/W @ 830 nm | 1.3 A/W @ 2.0 µm |
| 輸出接頭 | BNC | BNC | SMA | SMA | SMA |
| NEP | <0.1 pW/√Hz | 0.1 pW/√Hz | <0.04 pW/√Hz | <0.02 pW/√Hz at 830 nm | <0.44 pW/√Hz @ 2000 nm |
| 飽和電流 | 5 mA | 10 mA | 10 mA | 10 mA | |
| 結(jié)電容 | <0.75 pF | <1.25 pF | <0.12 pF | <0.3 pF | |
| 反向擊穿電壓 | 25 V | 25 V | 25 V | 30 V | |
| 螺紋類型 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 |
特征
硅版本和紫外增強(qiáng)硅版本
818-BB-20、-21 和 -40 由自由空間、小面積和大面積硅探測(cè)器組成，上升時(shí)間范圍在 300 ps-1.5 ns 之間。除 818-BB-40 之外，每個(gè)裝置都包括一個(gè)內(nèi)置的偏置電源，由標(biāo)準(zhǔn)的 3 V 鋰電池和 50 歐姆 BNC 連接器輸出組成。電池可輕松更換，在不使用時(shí)，斷開探測(cè)器與示波器輸入的連接可以延長(zhǎng)電池的使用壽命。818-BB-40 附帶一個(gè) 24 VDC 的外接電源。818-BB-27 由增強(qiáng)了紫外響應(yīng)的硅探測(cè)器構(gòu)成，因此非常適用于 Nd:YAG、Nd:YLF 或其他釹玻璃激光器四次諧波以及準(zhǔn)分子激光器。此外，其寬闊的有效面積和快速的響應(yīng)時(shí)間使其成為 200 1100 nm 波段范圍內(nèi)you秀的通用偏置探測(cè)器。為了獲得快速響應(yīng)，此探測(cè)器配備了一個(gè) 24 VDC 外部電源。
UV-Enhanced Silicon Free Space Detector
The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.
InGaAs Free Space Detectors
The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.
GaAs 和 InGaAs 版本
818-BB-30、-31、-35、-45 和 -51 由自由空間、小面積和大面積 GaAs 或 InGaAs 探測(cè)器組成，上升時(shí)間范圍在 300 ps-1.5 ns 之間。每個(gè)裝置都包括一個(gè)內(nèi)置的偏置電源，由標(biāo)準(zhǔn)的 3 V 鋰電池和 50 歐姆 BNC 連接器輸出組成。電池可輕松更換，在不使用時(shí)，斷開探測(cè)器與示波器輸入的連接可以延長(zhǎng)電池的使用壽命。
光學(xué)接桿安裝
位于 818-BB 偏置光接收器底部的 8-32 螺紋孔可用于安裝光學(xué)接桿。
注意進(jìn)行 ESD 防護(hù)
這些探測(cè)器非常容易受到靜電釋放 (ESD) 的影響而造成損壞。在拆包和操作這些設(shè)備時(shí)，請(qǐng)使用 ESD 保護(hù)措施，例如 FK-STRAP。
上升時(shí)間可達(dá) 25 ps
818-BB-35 和 818-BB-45 光電二極管探測(cè)器模塊為 12.5 GHz 帶寬的超快速測(cè)量提供了低成本的解決方案。這些探測(cè)器適用于調(diào) Q 和超快激光輸出分析需要探測(cè)器上升時(shí)間 <25 ps（對(duì)于 818-BB-45 則 <30 ps）的應(yīng)用。這些探測(cè)器還使用 3 V 鋰電池（已提供）。
